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RH6P040BHTB1  与  BSZ340N08NS3 G  区别

型号 RH6P040BHTB1 BSZ340N08NS3 G
唯样编号 A33-RH6P040BHTB1 A33-BSZ340N08NS3 G
制造商 ROHM Semiconductor Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Nch 100V 40A, HSMT8, Power MOSFET
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 15.6mΩ@40A,10V 34mΩ@12A,10V
上升时间 - 3ns
漏源极电压Vds 100V 80V
Pd-功率耗散(Max) 59W 32W
Qg-栅极电荷 - 9.1nC
栅极电压Vgs ±20V 20V
正向跨导 - 最小值 - 8S
典型关闭延迟时间 - 11ns
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 HSMT8 PG-TSDSON-8
连续漏极电流Id 40A 23A
工作温度 -55°C~150°C -55°C~150°C
通道数量 - 1Channel
系列 - OptiMOS3
长度 - 3.3mm
下降时间 - 2ns
典型接通延迟时间 - 8ns
高度 - 1.10mm
库存与单价
库存 30 4,795
工厂交货期 21 - 28天 21 - 28天
单价(含税)
20+ :  ¥11.0294
50+ :  ¥3.0377
100+ :  ¥2.7119
500+ :  ¥2.7023
1,000+ :  ¥2.7023
2,000+ :  ¥2.6831
4,000+ :  ¥2.6735
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
RH6P040BHTB1 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

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阶梯数 价格
20: ¥11.0294
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¥5.0212 

阶梯数 价格
30: ¥5.0212
50: ¥4.1684
100: ¥3.718
500: ¥3.7084
1,000: ¥3.6989
2,000: ¥3.6797
4,000: ¥3.6605
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¥7.8576 

阶梯数 价格
20: ¥7.8576
50: ¥7.5701
100: ¥7.3785
500: ¥7.2827
1,000: ¥7.1868
2,000: ¥6.9952
4,000: ¥6.8994
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¥3.0377 

阶梯数 价格
50: ¥3.0377
100: ¥2.7119
500: ¥2.7023
1,000: ¥2.7023
2,000: ¥2.6831
4,000: ¥2.6735
4,795 对比
RH6P040BHTB1 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

HSMT8

¥10.1103 

阶梯数 价格
1: ¥10.1103
100: ¥5.0552
100 对比

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